Content addressable memory device capable of comparing data bit with storage data bit

   
   

A NAND or NOR content-addressable memory (CAM) cell, which selectively use single port, tow ports, or three ports for operations depending on design requirements. Only n-channel transistors or p-channel transistors design these NAND or NOR CAM cells. In such designs, one-port bit line with one-port word line, or one-port bit line with two-port word lines, or two-port bit lines with two-port word lines are provided for meeting different operations and pruposes.

NAND of NOCH de tevreden-adresseerbare geheugen (CAM) cel, die selectief enige haven gebruiken, sleept havens, of drie havens voor verrichtingen afhankelijk van ontwerpvereisten. Slechts n-channel ontwerpen de transistors of p-channel de transistors NAND deze of NOCH CAM cellen. In dergelijke ontwerpen, wordt de één-haven beetjelijn met één-haven woordlijn, of de één-haven beetjelijn met two-port woordlijnen, of two-port beetjelijnen met two-port woordlijnen verstrekt voor het ontmoeten van verschillende verrichtingen en pruposes.

 
Web www.patentalert.com

< Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory

< Method for improving retention reliability of ferroelectric RAM

> Method for producing crystallographically textured electrodes for textured PZT capacitors

> Single data line sensing scheme for TCCT-based memory cells

~ 00119