A nano-scale flash memory comprises: (a) source and drain regions in a
plurality of approximately parallel first wires, the first wires
comprising a semiconductor material, the source and drain regions
separated by a channel region; (b) gate electrodes in a plurality of
approximately parallel second wires, the second wires comprising either a
semiconductor material or a metal, the second wires crossing the first
wires at a non-zero angle over the channel regions, to form an array of
nanoscale transistors; and (c) a hot electron trap region at each
intersection of the first wires with the second wires. Additionally,
crossed-wire transistors are provided that can either form a configurable
transistor or a switch memory bit that is capable of being set by
application of a voltage. The crossed-wire transistors can be formed in a
crossbar array.
Nano-escale a memória flash compreende: (a) as regiões da fonte e do dreno em um plurality de primeiros fios aproximadamente paralelos, dos primeiros fios que compreendem um material do semicondutor, da fonte e de regiões do dreno separaram por uma região da canaleta; (b) os elétrodos de porta em um plurality de segundos fios aproximadamente paralelos, os segundos wires compreender ou um material do semicondutor ou um metal, os segundos wires cruzar os primeiros fios em um ângulo non-zero sobre as regiões da canaleta, para dar forma a uma disposição de transistor do nanoscale; e (c) uma região quente da armadilha do elétron em cada interseção dos primeiros fios com os segundos wires. Adicionalmente, os transistor do cruz-fio são contanto que pode dar forma a um transistor configurable ou a uma memória do interruptor mordido que seja capaz do ajuste pela aplicação de uma tensão. Os transistor do cruz-fio podem ser dados forma em uma disposição da barra transversal.
