The dielectric porcelain of the present invention comprises a
polycrystalline material of which a main component comprises oxides
containing at least a rare earth element (Ln), Al, M (M represents Ca
and/or Sr) and Ti as metal elements, wherein the thickness of a grain
boundary layer is 20 nm or less, thereby achieving a high value of
.epsilon.r, high Q factor and small absolute value of the temperature
coefficient .tau..sub.f of resonant frequency in a high frequency region.
Thus this dielectric porcelain is preferably used in dielectric
resonators.
La porcelana dieléctrica de la actual invención abarca un material polycrystalline de el cual un componente principal abarque los óxidos que contienen por lo menos un elemento de la tierra rara (Ln), el al, M (M representa el CA y/o el sr) y el ti como elementos del metal, en donde el grueso de una capa de límite de grano es 20 nm o menos, de tal modo alcanzando un alto valor del epsilon.r, del alto factor de Q y del valor absoluto pequeño del tau..sub.f del coeficiente de la temperatura de la frecuencia resonante en una región de alta frecuencia. Así esta porcelana dieléctrica se utiliza preferiblemente en resonadores dieléctricos.
