An integrated circuit structure is disclosed wherein the capacitance
between nearby conductive portions may be lowered using carbon-containing
low k silicon oxide dielectric material, without contributing to the
problem of via poisoning, by careful control of the carbon content of the
dielectric material in two regions of the integrated circuit structure.
The first region comprises the region between adjacent raised conductive
lines formed over an underlying insulation layer, where undesirable
capacitance may be formed horizontally between such adjacent conductive
lines, while the second region comprises the region above the raised
conductive lines where vias are normally formed extending upward from the
raised conductive lines through the dielectric layer to an overlying layer
of metal interconnects. In one embodiment, the carbon-containing low k
silicon oxide dielectric material used in the first region between
adjacent raised conductive lines has a high carbon content to provide
maximum reduction of the dielectric constant of the dielectric material
for maximum reduction in the horizontal capacitance developed between
horizontally adjacent lines, while the carbon-containing low k silicon
oxide dielectric material used in the second region above the raised
conductive lines has a reduced carbon content to mitigate poisoning of
vias formed through the dielectric material in this second region. In
another embodiment both the first and second regions have the same or
similar reduced carbon content in the carbon-containing low k silicon
oxide dielectric material used in both of the respective first and second
regions to thereby provide a carbon content sufficient to lower the
undesirable capacitance formed horizontally between said adjacent raised
conductive lines in said first region, but insufficient to cause via
poisoning in vias formed in said second region.
Eine Schaltungstruktur wird freigegeben, worin die Kapazitanz zwischen nahe gelegenen leitenden Teilen gesenktes Verwenden sein kann, dielektrisches Material des niedrigen k Silikon-Oxids Carbon-enthalten, ohne zum Problem über Vergiftung beizutragen, durch vorsichtige Steuerung des Carboninhalts des dielektrischen Materials in zwei Regionen der Schaltungstruktur. Die erste Region enthält die Region zwischen den angrenzenden angehobenen leitenden Linien, die über einer zugrundeliegenden Isolierung Schicht gebildet werden, in der nicht wünschenswerte Kapazitanz horizontal zwischen solchen angrenzenden leitenden Linien gebildet werden kann, während die zweite Region die Region über den angehobenen leitenden Linien enthält, in denen vias normalerweise gebildetes Verlängern aufwärts von den angehobenen leitenden Linien durch die dielektrische Schicht auf eine darüberliegende Schicht Metall sind, schaltet zusammen. In einer Verkörperung hat das Carbon-enthaltene dielektrische Material des niedrigen k Silikon-Oxids, das in der ersten Region zwischen angrenzenden angehobenen leitenden Linien benutzt wird, einen hohen Carboninhalt, zum der maximalen Verkleinerung der Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materials für maximale Verringerung der horizontalen Kapazitanz bereitzustellen, die zwischen horizontal angrenzenden Linien entwickelt wird, während das Carbon-enthaltene dielektrische Material des niedrigen k Silikon-Oxids, das in der zweiten Region über den angehobenen leitenden Linien benutzt wird, einen verringerten Carboninhalt hat, zum von von Vergiftung der vias abzuschwächen, die durch das dielektrische Material in dieser zweiten Region gebildet werden. In einer anderen Verkörperung haben die ersten und zweiten Regionen dasselbe oder ähnlicher verringerter Carboninhalt im Carbon-enthaltenen dielektrischen Material des niedrigen k Silikon-Oxids, das in beiden der jeweiligen ersten und zweiten Regionen benutzt wird, um einen Carboninhalt dadurch zur Verfügung zu stellen, der genügend ist, die nicht wünschenswerte Kapazitanz zu senken, die horizontal zwischen besagten angrenzenden angehobenen leitenden Linien in besagter erster Region gebildet wird, aber, unzulänglich über die Vergiftung zu verursachen in den vias, das, die in besagter zweiter Region gebildet werden.
