A tunneling magneto-resistance element of each MTJ (magnetic tunnel
junction) memory cell is connected between a bit line and a strap. Each
strap is shared by a plurality of tunneling magneto-resistance elements
that are located adjacent to each other in the row direction in the same
sub array. Each access transistor is connected between a corresponding
strap and a ground voltage, and turned ON/OFF in response to a
corresponding word line. Since data read operation can be conducted with
the structure that does not have an access transistor for every tunneling
magneto-resistance element, the array area can be reduced.
Um elemento da magnetorresistência tunneling de cada pilha de memória de MTJ (junção magnética do túnel) é conectado entre uma linha do bocado e uma cinta. Cada cinta é compartilhada por um plurality dos elementos da magnetorresistência tunneling que são ficados junto a se no sentido da fileira na mesma disposição secundária. Cada transistor do acesso é conectado entre uma cinta correspondente e uma tensão à terra, e girado DE LIGAR/DESLIGAR em resposta a uma linha correspondente da palavra. Desde os dados lidos a operação pode ser conduzida com a estrutura que não tem um transistor do acesso para cada elemento da magnetorresistência tunneling, a área da disposição pode ser reduzida.
