A process to deposit a thin film by chemical vapor deposition includes
evacuating a chamber of gases; exposing a device to a gaseous first
reactant, wherein the first reactant deposits on the device to form the
thin film having a plurality of monolayers in thickness; evacuating the
chamber of gases; exposing the device, coated with the first reactant, to
a gaseous second reactant under a plasma treatment, wherein the thin film
is treated by the first reactant; and repeating the previous steps.
Um processo para depositar uma película fina pelo deposition de vapor químico inclui evacuar uma câmara dos gáses; expondo um dispositivo a um primeiro reactant gasoso, wherein os primeiros depósitos do reactant no dispositivo para dar forma à película fina que tem um plurality dos monolayers na espessura; evacuando a câmara dos gáses; expondo o dispositivo, revestido com o primeiro reactant, a um segundo reactant gasoso sob um tratamento do plasma, wherein a película fina é tratada pelo primeiro reactant; e repetindo as etapas precedentes.
