A capacitor of a semiconductor device is provided which includes a
semiconductor substrate and insulating interlayer formed on the
semiconductor substrate. The insulating interlayer has a contact hole
which exposes a portion of the semiconductor substrate. A plug fills in
the contact hole and the plug comes into contact with the semiconductor
substrate. A contact layer is formed on the insulating interlayer. The
contact layer comes into contact with the plug. First and second barrier
layers are formed on the surface and sides of the contact layer, and a
lower electrode is formed on the first barrier layer. A dielectric layer
formed on the second barrier layer and lower electrode, and an upper
electrode is formed on the dielectric layer.
Конденсатор прибора на полупроводниках обеспечен вклюает субстрат полупроводника и изолируя прослоек сформированные на субстрате полупроводника. Изолируя прослоек имеет отверстие контакта подвергает действию часть субстрата полупроводника. Штепсельная вилка заполняет внутри отверстие контакта и штепсельная вилка приходит в контакт с субстратом полупроводника. Слой контакта сформирован на изолируя прослойке. Слой контакта приходит в контакт с штепсельной вилкой. Во первых и вторые слои барьера сформируйте на поверхности и сторонах слоя контакта, и более низкий электрод сформирован на первом слое барьера. Диэлектрический слой сформировал на втором слое барьера и более низком электроде, и верхний электрод сформирован на диэлектрическом слое.
