Read head having a tunnel junction sensor with a free layer biased by exchange coupling with insulating antiferromagnetic (AFM) layers

   
   

Longitudinal biasing of a free layer in a current perpendicular to the planes of the layers (CPP) type of sensor in a read head is implemented by pinning magnetic moments of first and second side portions of the free layer beyond the track width of the read head with first and second insulating antiferromagnetic (AFM) layers which are exchange coupled thereto. The pinning of the magnetic moments of the first and second side portions of the free layer pin and longitudinally bias the central active portion of the free layer within the track width so that the central portion of the free layer is magnetically stable.

Das Längsbeeinflussen einer freien Schicht in einem gegenwärtigen Senkrechten zu den Flächen der Art der Schichten (CPP) des Sensors in einem gelesenen Kopf wird eingeführt, indem man magnetische Momente von zuerst und zweite Seite Teile der freien Schicht über der Spurbreite des gelesenen Kopfes mit zuerst hinaus und an zweiter Stelle isolierende antiferromagnetic Schichten (Flughandbuch) feststeckt, die der Austausch sind, der dazu verbunden wird. Das Feststecken der magnetischen Momente der erste und zweite Seite Teile von der freien Schicht stecken fest und beeinflussen longitudinal den zentralen aktiven Teil der freien Schicht innerhalb der Spurbreite, damit der zentrale Teil der freien Schicht magnetisch beständig ist.

 
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< Spin valve read element using a permanent magnet to form a pinned layer

< GIANT MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT HAVING SMALL LEAKAGE CURRENT, MAGNETO-RESISTIVE EFFECTIVE TYPE HEAD HAVING SMALL-LEAKAGE CURRENT, THIN-FILM MAGNETIC MEMORY HAVING SMALL LEAKAGE CURRENT AND THIN-FILM MAGNETIC SENSOR HAVING SMALL LEAKAGE CURRENT

> Performance evaluation method, performance evaluation system, and information storage apparatus using same

> Perpendicular magnetic recording medium and apparatus including a soft magnetic layer, an at least 20 nm thick non-magnetic layer, and a 50-90 nm gap length

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