Opto-electronic device integration

   
   

A method of creating a hybridized chip using a top active optical device combined with an electronic chip having electronic chip contacts, when at least some of the active device contacts are not aligned with at least some of the electronic chip contacts, each of the at least some active device contacts having an electrically corresponding electronic chip contact. The method involves creating sidewalls defining openings in the substrate, extending from the first side at the active device contacts to a bottom of the substrate opposite the first side, at points substantially coincident with the active device contacts; making the sidewalls electrically conductive; and connecting the points and the electronic chip contacts with an electrically conductive material. A hybridized chip has at least one top active optical device coupled to an electronic chip, the hybridized chip having been created using a described method. A method of connecting two chips, one of which being a topside active chip, each of the two chips having electrically corresponding contacts to be joined together that are physically mismatched relative to each other. The method involves creating electrically conductive paths on an insulator, each of the electrically conductive paths extending between physical locations of contacts of one of the two chips and physical locations of the electrically corresponding contacts on the other of the two chips.

Un metodo di generazione del circuito integrato ibridato che per mezzo di un dispositivo ottico attivo superiore ha unito almeno con un circuito integrato elettronico che ha contatti elettronici del circuito integrato, quando almeno alcuni dei contatti attivi del dispositivo non sono stati allineati rispetto almeno ad alcuni dei contatti elettronici del circuito integrato, ciascuno degli alcuni contatti attivi del dispositivo che hanno un contatto elettronico elettricamente corrispondente del circuito integrato. Il metodo coinvolge generare i muri laterali che definiscono le aperture nel substrato, estendentesi dal primo lato ai contatti attivi del dispositivo fino una parte inferiore del substrato di fronte al primo lato, ai punti sostanzialmente coincidenti con i contatti attivi del dispositivo; rendendo i muri laterali elettricamente conduttivi; e collegando i punti ed i contatti elettronici del circuito integrato con un materiale elettricamente conduttivo. Un circuito integrato ibridato ha almeno un dispositivo ottico attivo superiore accoppiato ad un circuito integrato elettronico, il circuito integrato ibridato che è generato usando un metodo descritto. Un metodo di collegamento dei due circuiti integrati, uno di cui che è un circuito integrato attivo della parte superiore, ciascuno dei due circuiti integrati che hanno elettricamente corrispondere si mette in contatto con per unirsi insieme che sono mal adattati fisicamente riguardante a vicenda. Il metodo coinvolge generare elettricamente i percorsi conduttivi su un isolante, ciascuno dei percorsi elettricamente conduttivi che si estendono fra le ubicazioni fisiche dei contatti di uno dei due circuiti integrati e le ubicazioni fisiche elettricamente del corrispondere si mette in contatto con d'altro canto dei due circuiti integrati.

 
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< Proton conductor, production method thereof, and electrochemical device using the same

< Negative electrode active material and nonaqueous electrolyte battery

> Process of producing manganese dioxide for a lithium primary battery

> Fabrication method of LiCoO2 nano powder by surface modification of precursor

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