Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

   
   

A method is provided for forming quantum holes of nanometer levels. In an ion beam scanner, ions are projected from an ion gun onto a semiconductor substrate. During the projection, ions are focused into an ion beam whose focal point is controlled to determine the diameter of the ion beam, and the ion beam is accelerated. When being incident upon the semiconductor substrate, the ion beam is deflected so as to form a plurality of quantum holes. Also provided is a light-emitting device with quantum dots. Impurities are doped onto a semiconductor substrate to form a P-type semiconductor layer on which a undoped, intrinsic semiconductor is grown to a certain thickness. A plurality of quantum holes are provided for the intrinsic semiconductor layer, followed by filling materials smaller in energy band gap than the intrinsic semiconductor in annealed quantum holes through recrystallization growth. Next, an N-type semiconductor layer is overlaid on the quantum hole layer. Composition of the materials filled in the quantum holes determines the color of the light emitted from the light-emitting device. Thus, the semiconductor device is fabricated to emit light of the three primary colors or one of them. By cutting the semiconductor device, unit display panels or elements can be prepared which emit radiation at wavelengths corresponding to red, green and blue colors.

Eine Methode wird für die Formung der Quantenbohrungen der Nanometerniveaus zur Verfügung gestellt. In einem Ionenlichtstrahlscanner werden Ionen von einer Ionengewehr auf ein Halbleitersubstrat projiziert. Während der Projektion werden Ionen in einen Ionenlichtstrahl fokussiert dessen Schwerpunkt gesteuert wird, um den Durchmesser des Ionenlichtstrahls festzustellen und der Ionenlichtstrahl beschleunigt wird. Beim Sein- Ereignis nach dem Halbleitersubstrat, der Ionenlichtstrahl abgelenkt wird, um eine Mehrzahl der Quantenbohrungen zu bilden. Auch gestellt eine lichtemittierende Vorrichtung mit Quantenpunkten zur Verfügung. Verunreinigungen werden auf ein Halbleitersubstrat lackiert, um eine P-Art Halbleiterschicht zu bilden, auf der ein undoped, I-Halbleiter zu einer bestimmten Stärke gewachsen wird. Eine Mehrzahl der Quantenbohrungen werden für die I-Halbleiter Schicht zur Verfügung gestellt, gefolgt von den Füllmaterialien, die im Energiebandabstand als der I-Halbleiter in getemperten Quantenbohrungen durch Rekristallisationwachstum kleiner sind. Zunächst ist eine N-Art Halbleiterschicht overlaid auf der Quantenbohrung Schicht. Aufbau der Materialien füllte innen die Quantenbohrungen feststellt die Farbe des Lichtes, das von der lichtemittierenden Vorrichtung ausgestrahlt wurde. So wird das Halbleiterelement fabriziert, um Licht der drei Primärfarben oder von ihnen auszustrahlen. Indem man das Halbleiterelement schneidet, können Maßeinheit Anzeige Verkleidungen oder Elemente vorbereitet werden, die Strahlung an den Wellenlängen ausstrahlen, die den roten, grünen und blauen Farben entsprechen.

 
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