Disclosed is an norbornene-based copolymer for photoresist, a preparation
method thereof, and a photoresist composition comprising the same. The
copolymer of the present invention exhibits high transparency to light of
193 nm wavelength and an excellent etching resistance, excellent
resolution due to the remarkable difference between light-exposed part and
light-unexposed part in the dissolving rate and excellent adhesion to the
substrate due to very hydrophilic diketone group of its own. As a result,
the copolymer of the present invention is very useful as ArF exposure
photoresist material in the fabrication of semiconductor devices.
Показаны норборнене-osnovanny1 сополимер для фоторезиста, метод подготовки thereof, и состав фоторезиста состоя из этих же. Сополимер присытствыющего вымысла exhibits высокий транспарант к свету длины волны 193 nm и превосходному сопротивлению вытравливания, превосходному разрешению должному к замечательной разнице между, котор свет-podvergli действию частью и свет-light-unexposed частью в растворяя тарифе и превосходным прилипанием к субстрату должному к очень гидрофильной группе в составе дикетона свои. В результате, сополимер присытствыющего вымысла очень полезн как материал фоторезиста выдержки ArF в изготовлении прибора на полупроводниках.
