Single ended row select for a MRAM device

   
   

A method and apparatus for selecting a rowline in a MRAM device. A rowline select circuit is provided on a first side of each rowline and connects the rowline to ground when a memory cell in the rowline is being written to and to a voltage source when a memory cell in the rowline is being read. A rowline stack select circuit is provided on the second side of each rowline and is connected to one rowline on each plane of memory. When a memory cell is being accessed, the rowline containing that memory cell as well as each other rowline connected to the same rowline stack select circuit are connected to a current source.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για ένα rowline σε μια συσκευή MRAM. Ένα επίλεκτο κύκλωμα rowline παρέχεται σε μια πρώτη πλευρά κάθε rowline και συνδέει το rowline με το έδαφος όταν γράφεται ένα κύτταρο μνήμης στο rowline σε και σε μια πηγή τάσης όταν διαβάζεται ένα κύτταρο μνήμης στο rowline. Ένα επίλεκτο κύκλωμα σωρών rowline παρέχεται στη δεύτερη πλευρά κάθε rowline και συνδέεται με ένα rowline σε κάθε αεροπλάνο της μνήμης. Όταν ένα κύτταρο μνήμης προσεγγίζεται, το rowline που περιέχει ότι το κύτταρο μνήμης καθώς επίσης και μεταξύ τους rowline που συνδέεται με το ίδιο επίλεκτο κύκλωμα σωρών rowline συνδέονται με μια τρέχουσα πηγή.

 
Web www.patentalert.com

< Method and system to cache metadata

< Stacked hybrid semiconductor-magnetic spin based memory

> Semiconductor memory device with latch circuit and two magneto-resistance elements

> Nonvolatile semiconductor memory device which can be programmed at high transfer speed

~ 00116