Semiconductor device having a semiconductor thin film containing low concentration of unbound hydrogen atoms and method of manufacturing the same

   
   

In a fabrication process of a semiconductor device for use in a TFT liquid crystal display system, before the start of crystallizing amorphous silicon (a-Si), dehydrogenation annealing is carried out to not only decrease the density of hydrogen in the p-Si film (13) to 5.times.10.sup.20 atoms/cm.sup.3 at most but also to prevent crystallization of the a-Si film (13) being obstructed due to possible excessive hydrogen remaining in the film. With the p-Si film (13) covered with an interlayer insulation film (15) in the form of a plasma nitride film, annealing is then carried out in nitrogen atmosphere at a temperature of 350.degree. C. to 400.degree. C. for one to three hours, more preferably 400.degree. C. for two hours. The result is that hydrogen atoms in the p-Si film (13) efficiently terminate dangling bonds of the film and hence do not become excessive, thus improving the electrical characteristics of the semiconductor device.

В процессе изготовления прибора на полупроводниках для пользы в системе индикации кристалла TFT жидкостной, прежде чем старт выкристаллизовывать аморфический кремний (-Kremni1), отжиг разводороживания снесен вне not only для того чтобы уменьшить плотность водопода в пленке p-Si (13) к 5.times.10.sup.20 atoms/cm.sup.3 на большой части но также предотвратить кристаллизацию-Kremni1 пленки (13) помешанные должными к по возможности чрезмерно водоподу остающемуся в пленке. При пленка p-Si (13) покрынная с пленкой изоляции прослойка (15) in the form of пленка нитрида плазмы, обжигать после этого снесен вне в атмосферу азота на температуре 350.degree. C к 400.degree. C на от один до 3 часа, more preferably 400.degree. C на 2 часа. Результат что атомы водопода в пленке p-Si (13) эффективно прекращают dangling скрепления пленки и следовательно не будут чрезмерно, таким образом улучшает электрические характеристики прибора на полупроводниках.

 
Web www.patentalert.com

< Secret key generating method, encryption method, cryptographic communication method and cryptographic communication system

< Acetylenic .alpha.-amino acid-based sulfonamide hydroxamic acid tace inhibitors

> Decimation filter and interpolation filter

> Camera and portable equipment with camera

~ 00116