A silicon-germanium hetero bipolar transistor comprising a silicon
collector layer, a boron-doped silicon-germanium base layer, a silicon
emitter layer and an emitter contact area. The transistor is fabricated
using an epitaxy process on a surface of pure silicon. An electrically
inert material is incorporated into the epitaxial layers in order to link
the defects in the semiconductor structure and to reduce the outdiffusion
of the dopant. Thus, a transistor for high-frequency applications can be
fabricated in two ways: to increase the dopant dose of the base region or
to reduce the thickness of the base layer. In particular, carbon is
incorporated in the base layer and in the collector layer and/or emitter
layer.
Μια διπολική κρυσταλλολυχνία hetero πυρίτιο-γερμανίου περιλαμβάνοντας ένα στρώμα συλλεκτών πυριτίου, ένα βόριο-ναρκωμένο στρώμα βάσεων πυρίτιο-γερμανίου, ένα στρώμα εκπομπών πυριτίου και μια περιοχή επαφών εκπομπών. Η κρυσταλλολυχνία κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας μια διαδικασία επιταξίας σε μια επιφάνεια του καθαρού πυριτίου. Ένα ηλεκτρικά αδρανές υλικό ενσωματώνεται στα κρυσταλλικά στρώματα προκειμένου να συνδεθούν οι ατέλειες στη δομή ημιαγωγών και για να μειώσει το outdiffusion του υλικού πρόσμιξης. Κατά συνέπεια, μια κρυσταλλολυχνία για τις υψηλής συχνότητας εφαρμογές μπορεί να κατασκευαστεί με δύο τρόπους: για να αυξήσει τη δόση υλικού πρόσμιξης της περιοχής βάσεων ή για να μειώσει το πάχος του στρώματος βάσεων. Ειδικότερα, ο άνθρακας ενσωματώνεται στο στρώμα βάσεων και στο στρώμα συλλεκτών ή/και το στρώμα εκπομπών.
