A method of adaptively writing magnetic memory cells of a MRAM is disclosed
according to an embodiment of the present invention. The method comprises
providing a logical data block of a memory array having magnetic memory
cells, each magnetic memory cell in a known initial state and each
magnetic memory cell configured along an easy-axis magnetic field
generating conductor and writing to the magnetic memory cells using a
predefined minimum current level. The method may further comprise sensing
the magnetic memory cells to determine if data has been successfully
written, incrementing the current level if writing was unsuccessful and
repeating above.
Метод приспособительного писания магнитные ячейкы памяти MRAM показан согласно воплощению присытствыющего вымысла. Метод состоит из обеспечивать логически блок данных блока памяти имея магнитные ячейкы памяти, каждый магнитный ячейкы памяти в знанный начальня состояние и каждый магнитный ячейкы памяти установленный вдоль поля легк-osi магнитного производя проводника и писать к магнитные ячейкы памяти использующ предопределенный минимальный в настоящее время уровень. Метод может более далее состоять из воспринимать магнитные ячейкы памяти для того чтобы обусловить если данные успешно были написаны, то, инкрементируя в настоящее время уровень если сочинительство было неудачно и повторяющ выше.
