An MRAM device having a plurality of MRAM cells formed of a fixed magnetic
layer, a second soft magnetic layer and a dielectric layer interposed
between the fixed magnetic layer and the soft magnetic layer. The MRAM
cells are all formed simultaneously and at least some of the MRAM cells
are designed to function as antifuse devices whereby the application of a
selected electrical potential can short the antifuse device to thereby
affect the functionality of the MRAM device.
Μια συσκευή MRAM που έχει μια πολλαπλότητα των κυττάρων MRAM που διαμορφώθηκαν ενός σταθερού μαγνητικού στρώματος, ενός δεύτερου μαλακού μαγνητικού στρώματος και ενός διηλεκτρικού στρώματος παρενέβαλε μεταξύ του σταθερού μαγνητικού στρώματος και του μαλακού μαγνητικού στρώματος. Τα MRAM κύτταρα όλα διαμορφώνονται ταυτόχρονα και τουλάχιστον μερικά από τα κύτταρα MRAM σχεδιάζονται για να λειτουργήσουν ως antifuse συσκευές με το οποίο η εφαρμογή μιας επιλεγμένης ηλεκτρικής δυνατότητας μπορεί απότομα η συσκευή antifuse με αυτόν τον τρόπο να έχει επιπτώσεις στη λειτουργία της συσκευής MRAM.
