A dielectric device has a multi-layer oxide artificial lattice. The
artificial lattice is a stacked structure with a plurality of dielectrics.
The dielectric film is deposited at a single atomic layer thickness or at
a unit lattice thickness. The dielectric film is formed by repeatedly
depositing with layer-by-layer growth process at least two dielectric
materials having dielectric constant different from each other at least
one time in a range of the single atomic layer thickness to 20 nm or by
depositing at least two dielectric materials in a predetermined alignment
adapted for a functional device, thereby forming one artificial lattice
having an identical directional feature. By utilizing the stress applied
to an interfacial surface of the consisting layers in the artificial oxide
lattice, the dielectric constant and tunability are greatly improved, so
the artificial lattice can be adapted for high-speed switching and
high-density semiconductor devices and high-frequency response
telecommunication devices. In addition, the size of devices can be
compacted and a low voltage drive can be achieved.
Un dispositivo dieléctrico tiene un enrejado artificial del óxido de múltiples capas. El enrejado artificial es una estructura apilada con una pluralidad de dieléctricos. La película dieléctrica se deposita en un solo grueso atómico de la capa o en un grueso del enrejado de la unidad. La película dieléctrica es formada en varias ocasiones depositando con proceso del crecimiento de la capa-por-capa por lo menos dos materiales dieléctricos que tienen constante dieléctrica diferente de uno a por lo menos una vez en una gama del solo grueso atómico de la capa a 20 nm o depositando por lo menos dos materiales dieléctricos en una alineación predeterminada adaptada para un dispositivo funcional, de tal modo formando un enrejado artificial que tiene una característica direccional idéntica. Utilizando la tensión aplicada a una superficie diedra de consistir acoda en el enrejado artificial del óxido, la constante dieléctrica y el tunability se mejoran grandemente, así que el enrejado artificial se puede adaptar para la conmutación de alta velocidad y los dispositivos de alta densidad del dispositivo de semiconductor y de alta frecuencia de la respuesta de la telecomunicación. Además, el tamaño de dispositivos puede ser condensado y una impulsión de la baja tensión puede ser alcanzada.
