The invention provides a method of manufacturing an electronic device
including a vertical thin film transistor. A layer (8) of semiconductor
material is provided over an insulated gate electrode (2). A negative
resist (14) is used to define source and drain electrodes (26,28) which
extend over the insulating layer (8) up to the step formed therein
adjacent an edge (16A) of the gate electrode (2).
L'invenzione fornisce un metodo di produzione del dispositivo elettronico compreso un transistore verticale della pellicola sottile. Uno strato (8) del materiale a semiconduttore è eccedenza fornita un l'elettrodo di cancello isolato (2). Una negazione resiste a (14) è usata definire la fonte e vuotare gli elettrodi (26.28) che estendono l'eccedenza lo strato isolante (8) fino al punto adiacente in ciò formato un bordo (16A) dell'elettrodo di cancello (2).
