Pitcher-shaped active area for field effect transistor and method of forming same

   
   

An improved pitcher-shaped active area for a field effect transistor that, for a given gate length, achieves an increase in transistor on-current, a decrease in transistor serial resistance, and a decrease in contact resistance. The pitcher-shaped active area structure includes at least two shallow trench insulator (STI) structures formed into a substrate that defines an active area structure, which includes a widened top portion with a larger width than a bottom portion. An improved fabrication method for forming the improved pitcher-shaped active area is also described that implements a step to form STI structure divots followed by a step to migrate substrate material into at least portions of the divots, thereby forming a widened top portion of the active area structure. The fabrication method of present invention forms the pitcher-shaped active area without the use of lithography, and therefore, is not limited by the smallest ground rules of lithography tooling.

Un secteur actif pichet-formé amélioré pour un transistor à effet de champ qui, pour une longueur donnée de porte, réalise une augmentation dans le transistor sur-courant, une diminution de résistance périodique de transistor, et une diminution en contact résistance. La structure pichet-formée de secteur actif inclut au moins deux structures peu profondes du isolateur de fossé (STI) façonnées en un substrat qui définit une structure de secteur actif, qui inclut une partie supérieure élargie avec une plus grande largeur qu'une partie inférieure. On décrit également une méthode améliorée de fabrication pour former le secteur actif pichet-formé amélioré qui met en application une étape pour former des divots de structure de STI suivis d'une étape pour émigrer matériel de substrat dans au moins des parties des divots, formant de ce fait une partie supérieure élargie de la structure de secteur actif. La méthode de fabrication de présente invention forme le secteur actif pichet-formé sans utilisation de la lithographie, et donc, n'est pas limité par les plus petites règles de base de l'outillage de lithographie.

 
Web www.patentalert.com

< Stack-type DRAM memory structure and its manufacturing method

< Method for opening a semiconductor region for fabricating an HBT

> SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR THIN FILM, APPARATUS FOR FABRICATING SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD OF FABRICATING SINGLE CRYSTAL THIN FILM, SINGLE CRYSTAL THIN FILM SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

> Apparatuses for heat-treatment of semiconductor films under low temperature

~ 00115