SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR THIN FILM, APPARATUS FOR FABRICATING SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD OF FABRICATING SINGLE CRYSTAL THIN FILM, SINGLE CRYSTAL THIN FILM SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

   
   

A method of fabricating a single crystal thin film includes: forming a non-single crystal thin film on an insulating base; subjecting the non-single crystal thin film to a first heat-treatment, thereby forming a polycrystalline thin film in which polycrystalline grains are aligned in an approximately regular pattern; and subjecting the polycrystalline thin film to a second heat-treatment, thereby forming a single crystal thin film in which the polycrystalline grains are bonded to each other. In this method, either the first heat-treatment or the second heat-treatment may be performed by irradiation of laser beams, preferably, emitted from an excimer laser. A single crystal thin film formed by this fabrication method has a performance higher than a related art polycrystalline thin film and is suitable for fabricating a device having stable characteristics. The single crystal thin film can be fabricated for a short-time by using laser irradiation as the heat-treatments.

Een methode om een enig kristal dunne film te vervaardigen omvat: het vormen van niet enige kristal dunne film op een isolerende basis; onderwerpend de niet enige kristal dunne film aan een eerste thermische behandeling, daardoor vormt een polycrystalline dunne film waarin polycrystalline korrels in een ongeveer regelmatig patroon worden gericht; en onderwerpend de polycrystalline dunne film aan een tweede thermische behandeling, daardoor vormt een enig kristal dunne film waarin de polycrystalline korrels aan elkaar worden geplakt. In deze methode, of de eerste thermische behandeling of de tweede thermische behandeling kan door straling van laserstralen, worden uitgevoerd, die van een excimer laser bij voorkeur worden uitgezonden. Een enig kristal dunne film die door deze vervaardigingsmethode heeft wordt gevormd prestaties hoger dan een verwante kunst polycrystalline dunne film en is geschikt om een apparaat te vervaardigen dat stabiele kenmerken heeft. De enig kristal dunne film kan voor van korte duur worden vervaardigd door laserstraling als thermische behandelingen te gebruiken.

 
Web www.patentalert.com

< Method for opening a semiconductor region for fabricating an HBT

< Pitcher-shaped active area for field effect transistor and method of forming same

> Apparatuses for heat-treatment of semiconductor films under low temperature

> LDD structure of thin film transistor and process for producing same

~ 00115