A thin-film capacitor device for performing temperature compensation is
manufactured by layering a first dielectric thin-film and a second
dielectric thin-film, wherein the second dielectric thin-film has a
thickness t.sub.N, wherein t.sub.N ={.epsilon..sub.0.tau..sub.t0t
/(C/S)}.multidot.{1/(.tau./.kappa.)}, wherein C/S represents a sheet
capacitance, .epsilon..sub.0 represents the dielectric constant of vacuum,
.tau..sub.t0t represents a desired temperature coefficient of capacitance,
.tau. represents the temperature coefficient of capacitance of the second
dielectric thin-film, and .kappa. represents the relative dielectric
constant of the second dielectric thin-film, a target value of a grain
size of the second dielectric thin-film is determined by selecting the
grain size satisfying the formula (.tau./.kappa.)/(.tau..sub.g
/.kappa..sub.g)>1, wherein .tau..sub.g represents the temperature
coefficient of capacitance of the principal crystal grain, and
.kappa..sub.g represents relative dielectric constant of the principal
crystal grain, and the second dielectric thin-film is deposited so that
the grain size becomes the target value.
Um dispositivo thin-film do capacitor para executar a compensação da temperatura é manufaturado mergulhando um primeiro thin-film dieléctrico e um segundo thin-film dieléctrico, wherein o segundo thin-film dieléctrico tem uma espessura t.sub.N, wherein t.sub.N = {epsilon..sub.0.tau..sub.t0t /(C/S)}.multidot.{1/(.tau./.kappa.)}, wherein C/S representa uma capacidade da folha, epsilon..sub.0 representa a constante dieléctrica do vácuo, tau..sub.t0t representa um coeficiente desejado da temperatura da capacidade, o tau. representa o coeficiente da temperatura da capacidade do segundo thin-film dieléctrico, e o kappa. representa a constante dieléctrica relativa do segundo thin-film dieléctrico, um valor de alvo de um tamanho de grão do segundo thin-film dieléctrico é determinado selecionando o tamanho de grão que satisf à fórmula (tau./.kappa.)/(.tau..sub.g /.kappa..sub.g) 1, wherein o tau..sub.g representa o coeficiente da temperatura da capacidade da grão de cristal principal, e o kappa..sub.g representa a constante dieléctrica relativa da grão de cristal principal, e o segundo thin-film dieléctrico é depositado de modo que o tamanho de grão se transforme o valor de alvo.
