A ferroelectric or high dielectric constant capacitor having a multilayer
lower electrode comprising at least two layers--a platinum layer and a
platinum-rhodium layer--for use in a random access memory (RAM) cell is
disclosed. The platinum layer of the lower electrode is formed such that
it adjoins the capacitor dielectric, which is a ferroelectric or high
dielectric constant dielectric such as BST, PZT, SBT or tantalum
pentoxide. The platinum-rhodium layer serves as an oxidation barrier and
may also act as an adhesion layer for preventing separation of the lower
electrode from the substrate, thereby improving capacitor performance. The
multilayer electrode may have titanium and/or titanium nitride layers
under the platinum-rhodium layer for certain applications. The capacitor
has an upper electrode which may be a conventional electrode or which may
have a multilayer structure similar to that of the lower electrode.
Un condensador ferroelectric o alto de la constante dieléctrica que tiene un electrodo más bajo de múltiples capas el abarcar por lo menos de dos capas -- una capa del platino y una capa del platino-rodio -- para el uso en una célula de la memoria de acceso al azar (ESPOLÓN) se divulga. La capa del platino del electrodo más bajo se forma tales que colinda el dieléctrico del condensador, que es un dieléctrico ferroelectric o alto de la constante dieléctrica tal como BST, PZT, SBT o pentoxide del tantalio. La capa del platino-rodio sirve como barrera de la oxidación y puede también actuar como capa de la adherencia para prevenir la separación del electrodo más bajo del substrato, de tal modo mejorando funcionamiento del condensador. El electrodo de múltiples capas puede tener capas titanium y/o titanium del nitruro bajo capa del platino-rodio para ciertos usos. El condensador tiene un electrodo superior que puedan ser un electrodo convencional o que pueda tener una estructura de múltiples capas similar a la del electrodo más bajo.
