Conductive hardening resin for a semiconductor device of the present
invention contains metal powder for providing electric conduction between
electrodes positioned on the front of a semiconductor chip and a wiring
material including lead terminals via a conductive plate. The resin has a
modulus of elasticity of 2.0.times.10.sup.9 Pa or below when hardened. The
resin prevents the contact resistance of the metal plate, lead terminals
and semiconductor chip from increasing in the event of temperature cycling
tests and a pressure cooker tests. Further, the resin frees the metal
plate and chip from peel-off and corrosion, respectively.
La résine durcissante conductrice pour un dispositif de semi-conducteur de la présente invention contient la poudre en métal pour fournir la conduction électrique entre les électrodes placées sur l'avant d'un morceau de semi-conducteur et un matériel de câblage comprenant des bornes de fil par l'intermédiaire d'un plat conducteur. La résine a un module d'élasticité de la PA 2.0.times.10.sup.9 ou ci-dessous une fois durcie. La résine empêche la résistance de contact du plat en métal, des bornes de fil et du morceau de semi-conducteur d'augmenter en cas des tests cycliques de la température et des essais d'une chaudière à pression. De plus, la résine libère le plat et le morceau en métal de pelable et de la corrosion, respectivement.
