A tunneling barrier for a spin dependent tunneling (SDT) device is
disclosed that includes a plurality of ferromagnetic atoms disposed in a
substantially homogenous layer. The presence of such atoms in the
tunneling barrier is believed to increase a magnetoresistance or
.DELTA.R/R response, improving the signal and the signal to noise ratio.
Such an increase .DELTA.R/R response also offers the possibility of
decreasing an area of the tunnel barrier layer. Decreasing the area of the
tunnel barrier layer can afford improvements in resolution of devices such
as MR sensors and increased density of devices such as of MRAM cells.
On révèle une barrière de perçage d'un tunnel pour un dispositif de perçage d'un tunnel de personne à charge de rotation (SDT) qui inclut une pluralité d'atomes ferromagnétiques disposés dans une couche essentiellement homogène. La présence de tels atomes dans la barrière de perçage d'un tunnel est censée pour augmenter une magnétorésistance ou une réponse de DELTA.R/R, améliorant le signal et le rapport de signal-bruit. Une telle réponse de DELTA.R/R d'augmentation offre également la possibilité de diminuer un secteur de la couche-barrière de tunnel. Diminuer le secteur de la couche-barrière de tunnel peut avoir les moyens des améliorations de la résolution des dispositifs tels que M. sondes et densité accrue des dispositifs comme des cellules de MRAM.
