Storing data in non-volatile memory devices

   
   

Cells in a non-volatile memory are programmed in parallel using a variable program bandwidth. The variable program bandwidth is an automatic variation in the number of cells pulsed in parallel based upon a predefined electrical current provisioning capability. The variation in programming number may be based upon whether a program pulse represents an initial pulse or a re-pulse. Additionally, or alternatively, the variation in programming number may be based upon a cell level to be programmed by a pulse in a MLC device.

Zellen in einem Permanentspeicher werden in der Ähnlichkeit mit einer variablen Programmbandbreite programmiert. Die variable Programmbandbreite ist eine automatische Veränderung der Zahl Zellen pulsierte in der Ähnlichkeit, die nach einer vorbestimmten elektrischen gegenwärtigen Bereitstellungfähigkeit gegründet wird. Die Veränderung der programmierenzahl kann auf basieren, ob ein Programimpuls einen Ausgangsimpuls oder einen Re-pulse darstellt. Zusätzlich oder wechselweise, kann die Veränderung der programmierenzahl nach einem durch einen Impuls programmiert zu werden Zelle Niveau basieren, in einer MLC Vorrichtung.

 
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< Memory architecture with series grouped by cells

< Memory architecture with memory cell groups

> Dynamic column block selection

> Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

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