A semiconductor component performing interface functions between the
controller and the power components of a power inverter, is designed for
the control of semiconductor components, in particular for the control of
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) power switches in different circuit
topologies for intermediate and high power capacity. The component carries
a monolithically integrated circuit performing the functions of signal
processing (12), level transformation (13, 14), gate driver amplification,
generation and monitoring of operating voltages, short-circuit monitoring
by means of collector-emitter voltage detection, as well as the
processing, storing and transmission of error signals for a power
semiconductor switch.
Een halfgeleidercomponent die interfacefuncties tussen het controlemechanisme en de machtscomponenten uitoefent van een machtsomschakelaar, wordt ontworpen voor de controle van halfgeleidercomponenten, in het bijzonder voor de controle de machtsschakelaars van van IGBT (de Geïsoleerde Bipolaire Transistor van de Poort) en MOSFET (de Transistor van het Effect van het Gebied van de Halfgeleider van het Oxyde van het Metaal) in verschillende kringstopologieën voor midden en hoge machtscapaciteit. De component draagt monolithisch een geïntegreerde schakeling uitoefenend de functies van signaalverwerking (12), niveautransformatie (13, 14), de versterking van de poortbestuurder, generatie en toezicht op werkende voltages, kort:sluiten controle door middel van collector-zender voltageopsporing, evenals de verwerking, het opslaan en de transmissie van foutensignalen voor een schakelaar van de machtshalfgeleider.
