Radiation-hardened static memory cell using isolation technology

   
   

A static memory cell having reduced susceptibility to soft error events, wherein data storage nodes are hardened by way of junction isolation. The memory cell is comprised of a pair of cross-coupled inverters. A first inverter is formed with a first N-channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) device and a first P-channel MOS (PMOS) device, with a first isolation device disposed therebetween. A second inverter is cross-coupled to the first inverter to form a pair of data storage nodes therein. The second inverter is also provided with a second isolation device disposed between its pair of NMOS and PMOS devices. A first data storage node is formed at a coupling between the first PMOS device and the first isolation device and a second data storage node is formed at a coupling between the second PMOS device and the second isolation device.

Une cellule de mémoire statique ayant réduit la susceptibilité aux événements d'erreur mineure, où des noeuds de stockage de données sont durcis par l'isolement de jonction. La cellule de mémoire est composée d'une paire d'inverseurs interconnnectés. Un premier inverseur est formé avec un premier dispositif du semi-conducteur d'oxyde de métal de N-canal (NMOS) et un premier dispositif de MOS de P-canal (PMOS), avec un premier dispositif d'isolement disposé therebetween. Un deuxième inverseur est interconnnecté au premier inverseur pour former une paire de noeuds de stockage de données là-dedans. Le deuxième inverseur est également équipé de deuxième dispositif d'isolement disposé entre sa paire de dispositifs de NMOS et de PMOS. Un premier noeud de stockage de données est formé à un accouplement entre le premier dispositif de PMOS et le premier dispositif d'isolement et un deuxième noeud de stockage de données est formé à un accouplement entre le deuxième dispositif de PMOS et le deuxième dispositif d'isolement.

 
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