A method for determining the number of redundancy units to employ in a
memory integrated circuit. The critical areas for faults on each process
layer in the integrated circuit for a range of defect sizes, and the
signatures of the electrical responses of faulted circuits to input test
stimuli are determined. A statistical frequency distribution for both the
signatures for a ratio of defect sizes on each of the process layers, and
for the occurrences of selected combinations of the signatures are
determined. A ratio of the signature distribution for different numbers of
redundancy units, and the die area for each of the different numbers of
redundancy units are determined. The number of usable die per wafer is
determined from the signature distribution and the die area. A level of
redundancy that maximizes the number of usable die per wafer is selected.
Метод для обусловливать число блоков дублирования для того чтобы использовать в цепи памяти интегрированной. Обусловлены критически зоны для недостатков на каждом отростчатом слое в интегрированной цепи для ряда размеров дефекта, и подписи электрических реакций, котор ошибли цепей к стимулам испытания входного сигнала. Обусловлено статистически частотное распределение для обеих подписей для коэффициента размеров дефекта на каждом из слоев процесса, и для возникновений выбранных комбинаций подписей. Обусловлены коэффициент распределения подписи для по-разному чисел блоков дублирования, и зона плашки по каждом из из по-разному числи блоков дублирования. Номер годной к употреблению плашки в вафлю обусловлен от распределения подписи и зоны плашки. Уровень дублирования увеличивает номер годной к употреблению плашки в вафлю выбран.
