In a semiconductor laser which is modulation-doped in an active layer
having a multiple quantum well structure, emission efficiency and
modulation-band are improved. A semiconductor laser has an active layer
between a p-type cladding layer and an n-type cladding layer. The active
layer has multiple quantum wells with a plurality of barrier layers and
well layers, and at least one barrier layer is p-type modulation-doped.
More specifically, quantity of p-type modulation-doping of a barrier layer
close to the p-cladding layer is smaller than of a barrier layer close to
the n-cladding layer. Therefore, differential gain and high-speed response
can be improved while suppressing nonluminous recombination. Since the
concentration of holes is high in a well layer distant from the p-type
cladding layer, the nonuniformity of carrier concentration can also be
reduced.
В лазере полупроводника modulation-doped в активно слое имея улучшены множественные структура добра суммы, эффективность и модуляци-polosa излучения. Лазер полупроводника имеет активно слой между слоем плакирования п-tipa и слоем плакирования н-tipa. Активно слой имеет множественные добра суммы с множественностью слоев барьера и хороших слоев, и по крайней мере одним слоем барьера будет п-tip modulation-doped. Более специфически, количество модуляци-davat6 допинг п-tipa слоя барьера close to слой п-plakirovani4 более мало чем слоя барьера close to слой н-plakirovani4. Поэтому, дифференциальное увеличение и высокую реакцию скорости можно улучшить пока подавляющ nonluminous рекомбинацию. В виду того что концентрация отверстий высока в хорошем слое дистантном от слоя плакирования п-tipa, nonuniformity концентрации несущей можно также уменьшить.
