An Indium/Gallium/Arsenide (InGaAs) detector having avalanche photodiodes
(APD's) and p-i-n photodiodes on a single chip is provided. A method of
fabricating the InGaAs device is also provided. The bias on the APD and
p-i-n photodiodes are separately controlled.
Ένας ανιχνευτής Indium/Gallium/Arsenide (InGaAs) που έχει τις φωτοδιόδους χιονοστιβάδων (APD) και τις φωτοδιόδους καρφιτσών σε ένα ενιαίο τσιπ παρέχεται. Μια μέθοδος τη συσκευή InGaAs παρέχεται επίσης. Η προκατάληψη στις φωτοδιόδους APD και καρφιτσών ελέγχεται χωριστά.
