A single crystalline aluminum nitride laminated substrate comprising a
single crystalline .alpha.-Al.sub.2 O.sub.3 substrate such as a sapphire
substrate, an aluminum oxynitride layer formed on the substrate and a
single crystalline aluminum nitride film as the outermost layer, wherein
the dislocation density in the single crystalline aluminum nitride is
10.sup.8 /cm.sup.2 or less.
The above single crystalline aluminum nitride laminated substrate is formed
by nitriding the substrate by heating in the presence of carbon, nitrogen
and carbon monoxide.
The above single crystalline aluminum nitride film has a law dislocation
density, little lattice mismatching and excellent crystallinity. A Group
III element nitride film having excellent luminous efficiency can be
formed on this aluminum nitride film. The above laminated substrate is
used in a base substrate for a Group III element nitride film, a light
emitting device and a surface acoustic wave device.
Um único nitride de alumínio cristalino laminou a carcaça que compreende uma única carcaça cristalina do alpha.-Al.sub.2 O.sub.3 tal como uma carcaça do sapphire, uma camada de alumínio do oxynitride dada forma na carcaça e uma única película de alumínio cristalina do nitride como a camada outermost, wherein a densidade de dislocation no único nitride de alumínio cristalino é 10.sup.8 /cm.sup.2 ou menos. Único nitride de alumínio cristalino acima a carcaça laminada é dada forma pelo nitriding a carcaça aquecendo-se na presença do monóxido do carbono, do nitrogênio e de carbono. A única película de alumínio cristalina acima do nitride tem uma densidade de dislocation da lei, pouco combinar mal do lattice e crystallinity excelente. Uma película do nitride do elemento do grupo III que tem a eficiência luminous excelente pode ser dada forma nesta película de alumínio do nitride. A carcaça acima laminada é usada em uma carcaça baixa para uma película do nitride do elemento do grupo III, um dispositivo emitindo-se claro e um dispositivo de superfície da onda acústica.
