Thermoelectric material of (Bi, Sb)(Te, Se) system is produced through a
liquid quenching method and an extrusion from a die unit having an inlet
portion and an outlet portion crossing each other at 30-150 degrees so
that the crystal grains have an average grain size equal to or less than
30 microns and (001) planes mostly oriented in parallel to a direction in
which electric current to flow, thereby achieving the figure of merit
equal to or greater than 3.0.times.10.sup.-3 /K.
Het thermo-elektrische materiaal van (Bi, Sb)(Te, Se) wordt systeem door een vloeibare het doven methode en een uitdrijving van een matrijzeneenheid geproduceerd die een inhamgedeelte en een afzetgedeelte heeft die elkaar kruisen bij 30-150 graden zodat de kristalkorrels een gemiddelde korrelgrootte gelijk aan of minder dan 30 microns en (001) vliegtuigen tegelijkertijd meestal georiënteerd parallel met een richting hebben waarin elektrische stroom aan stroom, daardoor bereikend het cijfer van verdienste gelijk aan of groter dan 3.0.times.10.sup.-3/K.
