A Ti--O--N film is formed on an SiO.sub.2 substrate by sputtering. For
example, TiO.sub.2 is used as a target and nitrogen gas is introduced into
the atmosphere. Crystallization is carried out by a post-sputtering heat
treatment. Then a charge separation material such as Pt is supported on
the Ti--O--N film. With the fabricated TiO.sub.2 crystals, the Ti--O--N
film containing nitrogen exhibits a good catalytic reaction by using
visible light as acting light. Since the charge separation material
captures electrons or positive holes, recombination of electrons and
positive holes is effectively prevented, and consequently more efficient
photocatalytic reaction is performed. It is preferable to form a
photocatalyst material film (Ti--Cr--O--N film) by sputtering the
SiO.sub.2 substrate by use of TiO.sub.2 and Cr as the target in a nitrogen
atmosphere. Crystallization is performed by a post-sputtering heat
treatment.
Un Ti -- O -- film de N est formé sur un substrat SiO.sub.2 par la pulvérisation. Par exemple, TiO.sub.2 est employé pendant qu'un gaz de cible et d'azote est présenté dans l'atmosphère. La cristallisation est effectuée par un traitement thermique de poteau-pulvérisation. Alors un matériel de séparation de charge tel que la pinte est soutenu sur le Ti -- O -- film de N. Avec les cristaux TiO.sub.2 fabriqués, le Ti -- O -- film de N contenant l'azote montre une bonne réaction catalytique en employant la lumière visible en tant que lumière temporaire. Puisque le matériel de séparation de charge capture des électrons ou des trous positifs, la recombinaison des électrons et des trous positifs est efficacement empêchée, et une réaction photocatalytic par conséquent plus efficace est exécutée. Il est préférable de former un film matériel de photocatalyst (Ti -- Cr -- O -- film de N) en pulvérisant le substrat SiO.sub.2 au moyen de TiO.sub.2 et le Cr comme cible dans une atmosphère d'azote. La cristallisation est exécutée par un traitement thermique de poteau-pulvérisation.
