A MRAM toggle type memory cell is read by first providing a first signal
representative of the initial state to a sense amplifier (1300, 1500). A
resistance of the cell is temporarily changed by altering a magnetic
polarization of the free layer of the cell. A second signal responsive to
altering the resistance of the MRAM cell is provided to the sense
amplifier (1300, 1500). The first signal is compared to the second signal
to determine the state of the MRAM cell.
Ячейкы памяти типа MRAM шарнирнорычажный прочитан сперва снабубежать первого представителя сигнала начальня состояние усилитель чувства (1300, 1500). Сопротивление клетки временно изменено путем изменять магнитную поляризацию свободно слоя клетки. Второй сигнал отзывчивый к изменять сопротивление клетки MRAM снабжен усилитель чувства (1300, 1500). Первый сигнал сравнен к второму сигналу обусловить положение клетки MRAM.
