A ferroelectric or high dielectric constant capacitor having a multilayer
lower electrode comprising at least two layers--a platinum layer and a
platinum-rhodium layer--for use in a random access memory (RAM) cell. The
platinum layer of the lower electrode adjoins the capacitor dielectric,
which is a ferroelectric or high dielectric constant dielectric such as
BST, PZT, SBT or tantalum pentoxide. The platinum-rhodium layer serves as
an oxidation barrier and may also act as an adhesion layer for preventing
separation of the lower electrode from the substrate, thereby improving
capacitor performance. The multilayer electrode may have titanium and/or
titanium nitride layers under the platinum-rhodium layer for certain
applications. The capacitor has an upper electrode which may be a
conventional electrode or which may have a multilayer structure similar to
that of the lower electrode. Processes for manufacturing the multilayer
lower electrode and the capacitor are also disclosed.
Um capacitor ferroelectric ou elevado da constante dieléctrica que tem um elétrodo mais baixo multilayer compreender ao menos duas camadas -- uma camada da platina e um platina-platinum-rhodium mergulhe -- para o uso em uma pilha da memória de acesso aleatório (RAM). A camada da platina do elétrodo mais baixo é contíguo com o dielétrico do capacitor, que é um dielétrico ferroelectric ou elevado da constante dieléctrica tal como o BST, o PZT, o SBT ou o pentoxide do tantalum. A camada do platina-platinum-rhodium serve como uma barreira da oxidação e pode também agir como uma camada da adesão para impedir a separação do elétrodo mais baixo da carcaça, melhorando desse modo o desempenho do capacitor. O elétrodo multilayer pode ter as camadas titanium e/ou titanium do nitride sob a camada do platina-platinum-rhodium para determinadas aplicações. O capacitor tem um elétrodo superior que possam ser um elétrodo convencional ou que possa ter uma estrutura multilayer similar àquela do elétrodo mais baixo. Os processos para manufaturar o elétrodo mais baixo multilayer e o capacitor são divulgados também.
