Process for coating silicon shot with dopant for addition of dopant in crystal growth

   
   

An inexpensive method of coating silicon shot with boron atoms comprises (1) immersing silicon shot in a boron dopant spin-on solution comprising a borosilicate, a polymer precursor, and a volatile solvent, and (2) removing the solvent so as to leave a polymeric coating containing borosilicate on the shot. A precise amount of this coated shot may then be mixed with a measured quantity of silicon pellets and the resulting mixture may then be melted to provide a boron-doped silicon melt for use in growing p-type silicon bodies that can be converted to substrates for photovoltaic solar cells.

Une méthode peu coûteuse d'enduire le projectile de silicium des atomes de bore comporte (1) immergeant le silicium tiré dans un dopant de bore tourner-sur la solution comportant un borosilicate, un précurseur de polymère, et un dissolvant volatil, et (2) enlevant le dissolvant afin de laisser un borosilicate contenant enduisant polymère sur le projectile. Une quantité précise de ceci projectile enduit peut alors être mélangée à une quantité mesurée de granules de silicium et le mélange résultant peut alors être fondu pour fournir une fonte bore-enduite de silicium pour l'usage dans le p-type croissant corps de silicium qui peut être converti en substrats pour les piles solaires photovoltaïques.

 
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< Optoelectronic unit and transparent conductive substrate of the same

> Fluorochemical adhesive material and laminate comprising the same

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