Magneto-resistive head and magnetic tunnel junction magneto-resistive head having plural ferromagnetic layers and an anitferromagnetically coupling layer

   
   

As to a magnetic tunnel junction magneto-resistive head, which comprises an antiferromagnetically coupling layer, a pinned ferromagnetic layer adjacent to said antiferromagnctically coupling layer and magnetically pinned by a magnetization of said antiferromagnctically coupling layer, a free ferromagnetic layer which is magnetically free from the magnetization of said antiferromagnetically coupling layer, insulating layers sandwiched by these ferromagnetic layers, a stacked layers of ferromagnetic layers to control the magnetic domain of said free ferromagnetic layer and a pair of electrodes to apply a current to these layers and films, said stacked layers of ferromagnetic layers are formed between said free ferromagnetic layer and one of said electrodes. According to this composition, it is possible to present a magnetic tunnel junction magneto-resistive sensor with preferable domain controlling force against the free ferromagnetic layer.

Hinsichtlich eines magnetische Tunnelverzweigung magnetoresistenten Kopfes der eine antiferromagnetically verbindenschicht enthält, eine festgesteckte ferromagnetische Schicht neben besagter antiferromagnctically verbindenschicht und durch eine Magnetisierung der besagten antiferromagnctically verbindenschicht, eine freie ferromagnetische Schicht magnetisch festgesteckt, die von der Magnetisierung der besagten antiferromagnetically verbindenschicht, die Isolierschichten magnetisch frei ist, die durch diese ferromagnetischen Schichten, Staplungsschichten ferromagnetische Schichten sandwiched sind, um das magnetische Gebiet der besagten freien ferromagnetischen Schicht und ein Paar Elektroden zu steuern, um einen Strom an diesen Schichten und Filme, besagte Staplungsschichten aufzutragen ferromagnetische Schichten, werden zwischen besagter freier ferromagnetischer Schicht und einer von besagten Elektroden gebildet. Entsprechend diesem Aufbau ist es möglich, einer magnetischen Tunnelverzweigung magnetoresistenten Sensor mit vorzuziehendes Gebiet steuernder Kraft gegen die freie ferromagnetische Schicht darzustellen.

 
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< Magnetic thin film, magnetic thin film forming method, and recording head

< Current perpendicular to the planes (CPP) spin valve sensor with in-stack biased free layer and self-pinned antiparallel (AP) pinned layer structure

> Magnetic sensor and production method thereof, ferromagnetic tunnel junction element, and magnetic head

> Magnetic head device and recording/reproducing apparatus using the magnetic head device

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