A method for shrinking critical dimension of semiconductor devices includes
forming a first pattern of a photoresist layer on a semiconductor device
layer, by performing a blanket exposing process to expose the photoresist
layer and the exposed semiconductor device layer to light having a
wavelength that can be absorbed by the photoresist layer to provide the
photoresist layer with a predetermined energy per unit area, thereby
producing photo generated acids therein. A first thermal process is
performed to diffuse the photo-generated acids formed within the
photoresist layer and to equalize glass transition temperature (T.sub.g)
of the photoresist layer. A second thermal process is thereafter carried
out. The first thermal process is carried out under a temperature lower
than T.sub.g of the photoresist layer.
Un método para contraer la dimensión crítica de los dispositivos de semiconductor incluye la formación de un primer patrón de una capa de photoresist en una capa del dispositivo de semiconductor, realizando un proceso que expone combinado para exponer la capa de photoresist y la capa expuesta del dispositivo de semiconductor a la luz que tiene una longitud de onda que se pueda absorber por la capa de photoresist para proveer de la capa de photoresist una energía predeterminada por área de unidad, de tal modo produciendo los ácidos generados foto en esto. Un primer proceso termal se realiza para difundir los ácidos foto-generados formados dentro de la capa de photoresist y para igualar la temperatura de transición de cristal (T.sub.g) de la capa de photoresist. Un segundo proceso termal se realiza después de eso. El primer proceso termal se realiza bajo temperatura más bajo que T.sub.g de la capa de photoresist.
