There is provided a semiconductor storage device in which only a defective
element is replaced by a row redundant element to compensate for a defect
if at least one of a plurality of elements is defective in a case where
the plurality of elements in a memory cell array are simultaneously
activated. The semiconductor storage device includes an array control
circuit which is configured to interrupt the operation of the defective
element by preventing a word line state signal from being received based
on a signal to determine whether a row redundancy replacement process is
performed or not. The word line state signal is input to the plurality of
memory blocks in the cell array unit via a single signal line.
Er verstrekt een halfgeleideropslaggelegenheid wordt waarin slechts een gebrekkig element door een rij overtollig element wordt vervangen om een tekort te compenseren als minstens één van een meerderheid van elementen in een geval gebrekkig is waar de meerderheid van elementen in een serie van de geheugencel gelijktijdig wordt geactiveerd. De halfgeleideropslaggelegenheid omvat een kring van de seriecontrole die wordt gevormd om de verrichting van het gebrekkige element te onderbreken door een de staatssignaal van de woordlijn worden ontvangen te verhinderen gebaseerd op een signaal om te bepalen of een de vervangingsproces van de rijovertolligheid of niet wordt uitgevoerd. Het de staatssignaal wordt van de woordlijn ingevoerd in de meerderheid van geheugenblokken in de eenheid van de celserie via één enkele signaallijn.
