Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film

   
   

A laser irradiation apparatus includes a laser light generation element, a splitting element for splitting laser light generated from the laser light generation element, a light interference element for causing a first beam and a second beam of the laser light split by the splitting element to interfere with each other to form a periodic light pattern, and a phase shifting element for electro-optically shifting the phase of the first beam. The laser light generation element is a pulse oscillation laser based on laser diode excitation.

Un appareillage d'irradiation de laser inclut un élément de génération de lumière de laser, un élément se dédoublant pour dédoubler la lumière de laser produite de l'élément de génération de lumière de laser, d'un élément léger d'interférence pour faire interférer un premier faisceau et un deuxième faisceau de la fente de lumière de laser par l'élément se dédoublant l'un l'autre pour former un modèle léger périodique, et d'un élément de déphasage pour décaler électro-optiquement la phase du premier faisceau. L'élément de génération de lumière de laser est un laser d'oscillation d'impulsion basé sur l'excitation de diode de laser.

 
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