This invention is intended to provide a technique for improving
characteristics of a TFT and realizing a structure of the TFT optimum for
driving conditions of a pixel section and a driving circuit by using a
small number of photomasks. The TFT includes a first electrode, a first
insulating film put between a semiconductor film and the first electrode,
a second electrode, and a second insulating film put between the
semiconductor film and the second electrode. The first electrode and the
second electrode are overlapped with each other, with a channel formation
region of the semiconductor film put between the first electrode and the
second electrode, and a constant voltage is always applied to the first
electrode.
Questa invenzione รจ intesa per fornire una tecnica per migliorare le caratteristiche di un TFT e la realizzazione della struttura dell'optimum di TFT per gli stati di azionamento di una sezione del pixel e di un circuito di azionamento usando un piccolo numero di photomasks. Il TFT include un primo elettrodo, una prima pellicola isolante messa fra una pellicola a semiconduttore ed il primo elettrodo, un secondo elettrodo e una seconda pellicola isolante messa fra la pellicola a semiconduttore ed il secondo elettrodo. Il primo elettrodo ed il secondo elettrodo sono coincisi con a vicenda, con una regione di formazione della scanalatura della pellicola a semiconduttore messa fra il primo elettrodo ed il secondo elettrodo e una tensione costante si applica sempre al primo elettrodo.
