Photoresist composition for deep ultraviolet lithography

   
   

The present invention relates to a photoresist composition sensitive in the deep ultraviolet region and a method of processing the photoresist, where the photoresist comprises a novel copolymer, a photoactive component, and a solvent. The novel copolymer comprises a unit derived from an ethylenically unsaturated compound containing at least one cyano functionality and a unit derived from an unsaturated cyclic non aromatic compound.

Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια photoresist σύνθεση ευαίσθητη στη βαθιά υπεριώδη περιοχή και μέθοδος photoresist, όπου photoresist περιλαμβάνει νέο copolymer, ένα photoactive συστατικό, και έναν διαλύτη. Νέο copolymer περιλαμβάνει μια μονάδα που προέρχονται από μια αιθυλενικά ακόρεστη ένωση που περιέχει τουλάχιστον μια κυανή λειτουργία και μια μονάδα που προέρχεται από μια ακόρεστη κυκλική μη αρωματική ένωση.

 
Web www.patentalert.com

< Methods of screening for a multi-drug resistance conferring peptide

< Image forming device regulating sheet conveying timings

> Mucin synthesis inhibitors

> Methods and apparatus for weighting radar return data

~ 00112