The state of a MRAM cell is detected when the magnetic tunnel junction
(MTJ) of the MRAM cell has a reduced bias from the maximum voltage that is
used for biasing. In one example, the MTJ of the selected cell and the MTJ
of a reference cell are both biased to a first voltage. The MTJs then
discharge this bias asymptotically (RC time constant based utilizing bit
line capacitance and MTJ resistance) to a lower voltage such as ground but
at rates that are different for the selected cell versus the reference
cell due to MTJ resistance differential. At a predetermined time the
voltage differential is detected. In another example, the MTJs are
precharged to a low voltage then are driven asymptotically toward a higher
voltage. Thus, at the time of sensing for both cases, the voltage across
the MTJ is less than the bias voltage that is being used.
L'état d'une cellule de MRAM est détecté quand la jonction magnétique de tunnel (MTJ) de la cellule de MRAM a une polarisation réduite de la tension maximum qui est employée pour polariser. Dans un exemple, les MTJ de la cellule choisie et les MTJ d'une cellule de référence sont les deux décentrés à une première tension. Le MTJs déchargent alors cette polarisation asymptotiquement (ligne d'utilisation de base constante capacité de peu de temps de RC et résistance de MTJ) à une plus basse tension telle que la terre mais aux taux qui sont différents pour la cellule choisie contre la cellule de référence due au différentiel de résistance de MTJ. À un temps prédéterminé le différentiel de tension est détecté. Dans un autre exemple, le MTJs sont préchargés à une basse tension alors sont conduits asymptotiquement vers une tension plus élevée. Ainsi, à l'heure de la sensation pour les deux cas, la tension à travers le MTJ est moins que la tension de polarisation qui est employée.
