A Cu thin film deposition equipment of a semiconductor device is disclosed
for improving deposition speed of a Cu thin film and lowering its
corresponding cost. This equipment includes a load lock carrying out the
steps before and after wafer processes, an aligner carrying out alignment
so that a wafer reaches a desired position, a de-gas chamber removing
residue such as gas produced on a surface of a wafer, and a feeding
chamber provided with a robot placing the wafer in/out of each chamber. A
pre-cleaning chamber cleaning the inside and the outside of a pattern
using plasma on a wafer fed by the feeding chamber, a barrier metal
deposition chamber, an adhesion glue layer (AGL) flash Cu deposition
chamber, a CECVD deposition chamber, and a plasma treatment chamber are
also provided with the equipment.
Un équipement de dépôt de la couche mince de Cu d'un dispositif de semi-conducteur est révélé pour améliorer la vitesse de dépôt d'une couche mince de Cu et abaisser son coût correspondant. Cet équipement inclut une serrure de charge suivant les processus de gaufrette d'étapes avant et après, un alignement de mise en oeuvre de dispositif d'alignement de sorte qu'une gaufrette atteigne une position désirée, une chambre de dégazage enlevant le résidu tel que le gaz produit sur une surface d'une gaufrette, et une chambre d'alimentation équipée de robot plaçant la gaufrette in/out de chaque chambre. Une chambre de prénettoyage nettoyant l'intérieur et l'extérieur d'un modèle en utilisant le plasma sur une gaufrette alimentée par la chambre d'alimentation, une chambre de dépôt en métal de barrière, une chambre instantanée de dépôt de Cu de la couche de colle d'adhérence (AGL), une chambre de dépôt de CECVD, et une chambre de traitement de plasma sont également équipées d'équipement.
