Feedback method utilizing lithographic exposure field dimensions to predict process tool overlay settings

   
   

A system and method of monitoring and predicting tool overlay settings comprise generating current lot information, generating historical data, categorizing (binning) the historical data into discrete exposure field size ranges, and predicting current lot tool overlay settings based on the current lot information and historical data. The method monitors the overlay errors during each lot pass through each lithographic process operation. Moreover, the method uses a feedback sorting criteria to monitor the tool overlay settings. Furthermore, the current lot information comprises lithographic field dimensions, wherein the lithographic field optics distortion data is derived from the current lithographic process tool. Additionally, the historical data comprises same-bin lithographic field size dimensions of previous lots, which statistically means the data is derived from the same (or similar) bin of like lots, on the current lithographic process tool.

Een systeem en een methode om de montages van de hulpmiddelbekleding te controleren en te voorspellen bestaan uit het produceren van huidige partijinformatie, het produceren van historische gegevens, het categoriseren van (het binning) de historische gegevens in afzonderlijke de groottewaaiers van het blootstellingsgebied, en het voorspellen van huidige de bekledingsmontages van het partijhulpmiddel die op de huidige partijinformatie en de historische gegevens worden gebaseerd. De methode controleert de bekledingsfouten tijdens elke partijpas door elke lithografische procesverrichting. Voorts gebruikt de methode een terugkoppelings sorterende criteria om de montages van de hulpmiddelbekleding te controleren. Voorts bestaat de huidige partijinformatie uit lithografische gebiedsdimensies, waarin het lithografische de vervormingsgegeven van de gebiedsoptica wordt afgeleid uit het huidige lithografische proceshulpmiddel. Bovendien, bestaan de historische gegevens de groottedimensies van het zelfde-bak uit lithografische gebied van vorige partijen, wat statistisch betekent het gegeven wordt afgeleid uit de zelfde (of gelijkaardige) bak van gelijkaardige partijen, over het huidige lithografische proceshulpmiddel.

 
Web www.patentalert.com

< Instruction register and access port gated clock for scan cells

< Method and apparatus for monitoring a material processing system

> Process control for micro-lithography

> Silicon carbide having low dielectric constant

~ 00112