Methods and systems are provided for securely preventing cracking or
peeling of an insulating film in the periphery of a cutting portion of
cutting short-circuit wiring by etching in a substrate, such as a liquid
crystal device substrate that includes short-circuit wiring for a measure
against static electricity. In particular, in the liquid crystal device
substrate, cutting holes are provided by etching in a first interlayer
insulating film and a second interlayer insulating film, which cover
short-circuit wiring provided as electrostatic measure wiring, for cutting
the short-circuit wiring. An etching stop layer made of a single crystal
silicon film having resistance to etching of the second interlayer
insulating film is formed in a wider range than the cutting holes between
the short-circuit wiring and the buried oxide film.
I metodi ed i sistemi sono previsti saldamente impedire spezzarsi o la sbucciatura di una pellicola isolante nella periferia di una parte di taglio dei collegamenti di cortocircuito di taglio incidendo in un substrato, quale un substrato a cristallo liquido del dispositivo che include i collegamenti di cortocircuito per una misura contro elettricità statica. In particolare, nel substrato a cristallo liquido del dispositivo, i fori taglienti sono forniti incidendo in una pellicola isolante del primo strato intermedio ed in una pellicola isolante del secondo strato intermedio, che riguardano i collegamenti di cortocircuito forniti come collegamenti elettrostatici di misura, per il taglio dei collegamenti di cortocircuito. Uno strato di arresto acquaforte fatto di una pellicola del silicone del monocristallo che ha resistenza acquaforte della pellicola isolante del secondo strato intermedio è formato in una vasta gamma che i fori di taglio fra i collegamenti di cortocircuito e la pellicola sepolta dell'ossido.
