The image of a pattern of reticle 12 is, being illuminated with exposure
light IL of vacuum ultraviolet range, projected, via projection optical
system PL, onto wafer 17a on wafer stage 18a in wafer chamber 24. By
providing gas blowing plate 15 in which aperture portion 15a for the
exposure light optical path is provided between projection optical system
PL and wafer 17a, exhausting a gas in the first space S1 over gas blowing
plate 15 via exhaust port G1e, purifying the exhausted gas, and then by
blowing the purified gas again into space S1 via gas supply port G1i,
outgases from wafer 17a are efficiently exhausted. Into the second space
S2 under gas blowing plate 15 is supplied a gas of which contamination
degree of impurities is controlled to be more relaxed compared with the
gas in the first space S1. By this, even when using vacuum ultraviolet
light as exposure light, with the decrease of transmittance on the optical
path being controlled, a high exposure light intensity can be obtained.
Das Bild eines Musters von Reticle 12 ist und belichtet wird mit dem Belichtung Licht IL der Vakuumultravioletten Strecke, projiziert, über Projektion optisches System PL, auf Oblate 17a auf Oblatestadium 18a in Oblateraum 24. Indem man durchbrennenplatte 15 des Gases zur Verfügung stellt, in der Blendenöffnung Teil 15a für den optischen Weg des Belichtung Lichtes wird zur Verfügung gestellt zwischen Projektion optischem System PL und Oblate 17a, ein Gas im ersten Raum S1 über durchbrennenplatte 15 des Gases über Absaugventilatortor G1e, das geerschöpfte Gas und dann, indem man wieder durchbrennt das gereinigte Gas erschöpfend in Raum S1 über Gas-Versorgungsmaterial-Tor G1i reinigend, werden outgases von der Oblate 17a leistungsfähig erschöpft. In den zweiten Raum wird S2 unter durchbrennenplatte 15 des Gases ein Gas geliefert, von dem Verschmutzung Grad Verunreinigungen gesteuert wird, um entspannt zu sein verglichen mit dem Gas im ersten Raum S1. Durch dieses selbst wenn, VakuumcUv-Licht als Belichtung Licht, mit der Abnahme der Beförderung auf dem optischen Weg verwendend, der kontrolliert ist, kann eine hohe Belichtung Lichtintensität erreicht werden.
