Synthetic-ferrimagnet sense-layer for high density MRAM applications

   
   

An improved magnetic memory element is provided in which a magnetic sense layer is formed of two ferromagnetic material layers separated by a spacer layer. The two ferromagnetic layers are formed as a synthetic ferrimagnet with stray field coupling and antiferromagnetic exchange coupling across the spacer layer.

On fournit un élément magnétique amélioré de mémoire dans lequel une couche magnétique de sens est constituée de deux couches matérielles ferromagnétiques séparées par une couche d'entretoise. Les deux couches ferromagnétiques sont formées pendant qu'un ferrimagnet synthétique avec l'accouplement parasite de champ et l'accouplement antiferromagnetic d'échange à travers l'entretoise posent.

 
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