The present invention discloses a ferroelectric memory device and a method
of forming the same. The ferroelectric memory device includes a
semiconductor substrate, a capacitor lower electrode, a ferroelectric
layer, and a capacitor upper electrode. The semiconductor substrate has a
lower structure. The capacitor lower electrode has a cylindrical shape and
a certain height. The ferroelectric layer is conformally stacked over
substantially the entire surface of the semiconductor substrate including
the capacitor lower electrode. The capacitor upper electrode has a spacer
shape and is formed around the sidewall of the ferroelectric layer that
surrounds the lower electrode. In the method of forming the ferroelectric
memory device, a semiconductor substrate having an interlayer dielectric
layer and a lower electrode contact formed through the interlayer
dielectric layer is prepared. A cylindrical capacitor lower electrode is
formed on the interlayer dielectric layer to cover the contact. A
ferroelectric layer is conformally stacked at the semiconductor substrate
having the capacitor lower electrode. A spacer-shaped upper electrode is
formed around the sidewall of the ferroelectric layer that surrounds the
capacitor lower electrode.
Присытствыющий вымысел показывает ferroelectric приспособление памяти и метод формировать эти же. Ferroelectric приспособление памяти вклюает субстрат полупроводника, электрод конденсатора более низкий, ferroelectric слой, и электрод верхушкы конденсатора. Субстрат полупроводника имеет более низкую структуру. Электрод конденсатора более низкий имеет цилиндрическую форму и некоторую высоту. Ferroelectric слой conformally штабелирован над существенн всей поверхностью субстрата полупроводника включая электрод конденсатора более низко. Электрод конденсатора верхний имеет форму прокладки и сформирован вокруг стенки ferroelectric слоя окружает более низкий электрод. В методе формировать ferroelectric приспособление памяти, подготовлен субстрат полупроводника имея слой прослойка диэлектрический и более низкий контакт электрода сформированные через слой прослойка диэлектрический. Электрод цилиндрического конденсатора более низкий сформирован на слое прослойка диэлектрическом для того чтобы покрыть контакт. Ferroelectric слой conformally штабелирован на субстрате полупроводника имея электрод конденсатора более низко. Прокладк-sformirovanny1 верхний электрод сформирован вокруг стенки ferroelectric слоя окружает электрод конденсатора более низкий.
