Technique for forming an oxide/nitride layer stack by controlling the nitrogen ion concentration in a nitridation plasma

   
   

For aggressively scaled field effect transistors, nitrogen is incorporated into a base oxide layer, wherein, at an initial phase of a plasma nitridation process, the nitrogen ion density is maintained at a value so that incorporation of nitrogen into the channel region is minimized. Subsequently, when the thickness of the base oxide layer has increased, due to residual oxygen in the plasma ambient, the nitrogen ion density is increased, thereby increasing the nitridation rate. Preferably, the nitrogen ion density is controlled by varying the pressure of the plasma ambient. Moreover, a system is disclosed that allows control of the nitridation rate in response to an oxide layer thickness.

Para transistor de efeito de campo aggressively escalados, o nitrogênio é incorporado em uma camada baixa do óxido, wherein, em uma fase inicial de um processo do nitridation do plasma, a densidade do íon do nitrogênio é mantida em um valor de modo que a incorporação do nitrogênio na região da canaleta seja minimizada. Subseqüentemente, quando a espessura da camada baixa do óxido aumentou, devido ao oxigênio residual no plasma ambiental, a densidade do íon do nitrogênio é aumentada, aumentando desse modo a taxa do nitridation. Preferivelmente, a densidade do íon do nitrogênio é controlada variando a pressão do plasma ambiental. Além disso, um sistema é divulgado que permita o controle da taxa do nitridation em resposta a uma espessura da camada do óxido.

 
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< Preparation of thin silica films with controlled thickness and tunable refractive index

< Method for fabricating n-type carbon nanotube device

> Compositions for inhibiting arginase activity

> Particular type of a thin layer inorganic light emitting device

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